Estudio de fotoconductividad de película delgada de CuFeO2 tipo delafossite mediante mediciones de resistencia eléctrica.
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Date
2019
Authors
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Publisher
Abstract
El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la
resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada
semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por
laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar
las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo
para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno
gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia
eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en
función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450
a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa
oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de
cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia
incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en
1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden
razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en
base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la
resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada
semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por
laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar
las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo
para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno
gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia
eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en
función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450
a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa
oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de
cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia
incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en
1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden
razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en
base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la
resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada
semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por
laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar
las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo
para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno
gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia
eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en
función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450
a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa
oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de
cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia
incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en
1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden
razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en
base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la
resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada
semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por
laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar
las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo
para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno
gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia
eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en
función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450
a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa
oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de
cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia
incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en
1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden
razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en
base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.
Description
Tesis (Magíster en Física mención Física Experimental)--Pontificia Universidad Católica de Chile, 2019