Estudio de fotoconductividad de película delgada de CuFeO2 tipo delafossite mediante mediciones de resistencia eléctrica.

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dc.contributor.advisorCabrera, Alejandro Leopoldo
dc.contributor.authorVojkovic Lagno, Smiljan Andrej
dc.contributor.otherPontificia Universidad Católica de Chile. Facultad de Física
dc.date.accessioned2019-06-19T19:21:46Z
dc.date.available2019-06-19T19:21:46Z
dc.date.issued2019
dc.descriptionTesis (Magíster en Física mención Física Experimental)--Pontificia Universidad Católica de Chile, 2019
dc.description.abstractEl trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450 a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en 1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450 a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en 1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450 a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en 1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450 a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en 1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.
dc.format.extentvii, 57 páginas
dc.identifier.doi10.7764/tesisUC/FIS/22992
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.7764/tesisUC/FIS/22992
dc.identifier.urihttps://repositorio.uc.cl/handle/11534/22992
dc.language.isoes
dc.nota.accesoContenido completo
dc.rightsacceso abierto
dc.subject.ddc620
dc.subject.deweyIngenieríaes_ES
dc.subject.otherPelículas delgadas ferroeléctricases_ES
dc.subject.otherResistencia eléctricaes_ES
dc.titleEstudio de fotoconductividad de película delgada de CuFeO2 tipo delafossite mediante mediciones de resistencia eléctrica.es_ES
dc.typetesis de maestría
sipa.codpersvinculados99388
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3.10 Tesis magíster