Enabling Solutions for 28nm CMOS Advanced Junction Formation

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dc.contributor.authorLi, C.I.
dc.contributor.authorKuo, P.
dc.contributor.authorLai, H.H.
dc.contributor.authorMa, K.
dc.contributor.authorLiu, R.
dc.contributor.authorWu, H.H.
dc.contributor.authorChan, M.
dc.contributor.authorYang, C.L.
dc.contributor.authorWu, J.Y.
dc.contributor.authorArévalo, Edward
dc.contributor.authorGuo, B.N.
dc.contributor.authorColombeau, B.
dc.contributor.authorThirumal, T.
dc.contributor.authorToh, T.
dc.contributor.authorShim, K.H.
dc.contributor.authorSun, H.L.
dc.contributor.authorWu, T.
dc.contributor.authorLu, S.
dc.date.accessioned2021-04-07T14:35:31Z
dc.date.available2021-04-07T14:35:31Z
dc.date.issued2010
dc.fechaingreso.objetodigital2023-08-18
dc.fuente.origenBibliotecas UC
dc.identifier.issn0094-243X
dc.identifier.urihttps://repositorio.uc.cl/handle/11534/57343
dc.identifier.wosidWOS:000288402500009
dc.language.isoen
dc.nota.accesoContenido parcial
dc.pagina.inicio45
dc.revistaIon Implantation Technology 2010es_ES
dc.rightsacceso restringido
dc.subject.ods07 Affordable and Clean Energy
dc.subject.odspa07 Energía asequible y no contaminante
dc.titleEnabling Solutions for 28nm CMOS Advanced Junction Formationes_ES
dc.typecomunicación de congreso
dc.volumenVol. 1321
sipa.codpersvinculados1011452
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